帶有 KTE 7 軟件的吉時(shí)利 S530 系列參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)：氮化鎵、碳化硅參數(shù)測(cè)試儀提供高速、完全靈活的配置，能夠隨著新應(yīng)用的出現(xiàn)和需求變化而不斷發(fā)展。S530 可進(jìn)行高達(dá) 200 V 的測(cè)試，而 S530-HV 可以在任何引腳上進(jìn)行高達(dá) 1100 V 的測(cè)試，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，吞吐量提高了 50%。KTE 7 的新增功能是促成直接對(duì)接探測(cè)器和原有探頭卡重新使用的可選系統(tǒng)測(cè)試頭，支持汽車標(biāo)準(zhǔn) IATF-16949 要求的系統(tǒng)級(jí) ISO-17025 引腳校準(zhǔn)，以及從原有的 S600 和 S400 系統(tǒng)進(jìn)行遷移的*簡(jiǎn)單、*順暢的路徑，具有完整的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)性并提高了速度。

540 氮化鎵、碳化硅參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)全自動(dòng)化的 48 引腳參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，適用于高達(dá) 3kV 的功率半導(dǎo)體器件和結(jié)構(gòu)的晶片級(jí)測(cè)試。完全集成式 S540 已針對(duì)包括碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 在內(nèi)的*新復(fù)合功率半導(dǎo)體材料進(jìn)行優(yōu)化，可以在單次測(cè)試觸摸中執(zhí)行所有高電壓、低電壓和電容測(cè)試。

S500 氮化鎵、碳化硅參數(shù)測(cè)試儀、集成式測(cè)試系統(tǒng)是高度可配置的、基于儀器的系統(tǒng)，適用于器件、晶片或暗盒級(jí)半導(dǎo)體檢定。S500 集成式測(cè)試系統(tǒng)基于我們經(jīng)過驗(yàn)證的儀器，提供**的測(cè)量功能和系統(tǒng)靈活性，并且根據(jù)您的需求可進(jìn)行擴(kuò)展。獨(dú)有的測(cè)量能力結(jié)合強(qiáng)大而靈活的自動(dòng)化檢定套件 (ACS) 軟件，提供市場(chǎng)上其他同類系統(tǒng)無法提供的廣泛應(yīng)用和功能。 

S530 功能

• 靈活的探測(cè)器接口選項(xiàng)，包括測(cè)試頭，支持原有吉時(shí)利和 Keysight 裝置
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 KTE 軟件環(huán)境
• 觸摸一次探頭即可完成高壓和低壓參數(shù)的測(cè)試
• 通過全新系統(tǒng)參考單元 (SRU) 進(jìn)行全自動(dòng)系統(tǒng)級(jí)校準(zhǔn)符合*新質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
• KTE 7 中的運(yùn)行狀況檢查軟件工具*大限度地延長(zhǎng)系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間和提高數(shù)據(jù)完整性
• 內(nèi)置的瞬態(tài)過電壓和/或過電流事件保護(hù)可*大程度地減少代價(jià)高昂的系統(tǒng)停機(jī)或?qū)斐蓳p壞
• 符合 ISO-17025 校準(zhǔn)要求并支持 IATF-16949 合規(guī)性
• 提供 SECS/GEM 與 300 毫米晶圓廠的集成

S540 功能

• 在單次探頭觸摸中自動(dòng)在多達(dá) 48 個(gè)引腳上執(zhí)行所有晶片級(jí)參數(shù)測(cè)試，包括高電壓擊穿、電容和低電壓測(cè)量，而無需更改電纜或探頭卡基礎(chǔ)設(shè)施
• 在*高達(dá) 3kV 的條件下執(zhí)行晶體管電容測(cè)量，如 Ciss、Coss 和 Crss，而無需手動(dòng)配置測(cè)試引腳
• 在高速、多引腳、全自動(dòng)測(cè)試環(huán)境中實(shí)現(xiàn)低電平測(cè)量性能
• 基于 Linux 的 Keithley 測(cè)試環(huán)境 (KTE) 系統(tǒng)軟件支持輕松進(jìn)行測(cè)試開發(fā)和快速執(zhí)行
• 非常適合于過程集成、過程控制監(jiān)控和生產(chǎn)芯片分類中的全自動(dòng)或半自動(dòng)應(yīng)用
• 通過*大程度減少測(cè)試時(shí)間、測(cè)試設(shè)置時(shí)間和占地面積，降低擁有成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量性能

S500 功能

• 全量程源測(cè)量單元 (SMU) 儀器技術(shù)規(guī)格，包括 subfemtoamp 測(cè)量，確保在幾乎任何設(shè)備上都能執(zhí)行廣泛的測(cè)量。
• 適用于內(nèi)存檢定、電荷泵、單脈沖 PIV（電荷陷阱分析）和 PIV 掃描（自加熱回避）的脈沖生成和超快 I-V。
• 利用支持 Keithley 系統(tǒng)的可擴(kuò)展 SMU 儀器，提供低或高通道數(shù)系統(tǒng)，包括并行測(cè)試。
• 適用于測(cè)試功率 MOSFET 和顯示驅(qū)動(dòng)器等測(cè)試器件的高電壓、電流和功率源測(cè)量?jī)x器。
• 開關(guān)、探頭卡和布線保證系統(tǒng)完全適用于您的 DUT。

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